О некоторых возможностях использования конфлюентного анализа для интервального оценивания параметров полупроводников в катодолюминесцентной микроскопии
Ю. Е. Гагарин, М. А. Степович
Калужский филиал Московского государственного технического университета им. Н. Э. Баумана, г. Калуга, Россия
Изучены возможности использования конфлюентного анализа для интервального оценивания диффузионных длин неосновных носителей заряда в полупроводниках с помощью методов математического моделирования. Конфлюентный анализ реализован для прямозонных полупроводников при различных значениях погрешности измеряемых величин энергий электронов пучка, характерных для реального эксперимента.
Содержание