Использование закономерностей обратного рассеяния протонов энергии 5—8 МэВ для анализа структуры защитных оксидных покрытий
О. В. Беспалова, Е. А. Романовский, М. В. Серков
Научно-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета, Москва, Россия
А. М. Борисов, В. П. Мичурина, О. С. Невская, И. В. Суминов,
Н. В. Титова, А. В. Эпельфельд
МАТИ — Российский государственный технологический университет
им. К. Э. Циолковского, Москва, Россия
Предложена модель формирования переходного слоя в покрытиях, полученных при микродуговом оксидировании алюминиевых сплавов в силикатно-щелочных электролитах. Проанализированы возможность использования закономерностей обратного рассеяния протона энергии и механизм наполнения покрытий, полученных микродуговым оксидированием (МДО). Исследована также возможность получения селективного слоя на поверхности фильтрующих элементов из титанового порошка и предложена модель его формирования.
Содержание