ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ


№ 3 Основан в 1994 г. Москва 2004


Использование модели независимых источников для расчета распределения неосновных носителей заряда, генерированных в двухслойном полупроводнике электронным пучком

М. А. Степович, М. Г. Снопова, А. Г. Хохлов
Калужский филиал Московского государственного технического университета им. Н. Э. Баумана, г. Калуга, Россия

   Дано описание основанного на использовании модели независимых источников метода расчета распределений неосновных носителей заряда, генерированных в двухслойном полупроводнике широким электронным пучком с энергиями, характерными для электронно-зондовых устройств (5—30 кэВ).

Содержание