ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ


№ 3 Основан в 1994 г. Москва 2004


Фотоемкостный эффект в узкозонном PbSnTe

А. Э. Климов, В. Н. Шумский
Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск, Россия

   В темноте и при освещении исследована низкочастотная диэлектрическая проницаемость твердого раствора PbSnTe. Найдено, что величина e = 2000—300 000 в зависимости от температуры и уровня освещенности. Впер-вые наблюдалось увеличение e примерно на два порядка при освещении образ-цов при температуре жидкого гелия. Проведена оценка длинноволнового края наблюдения эффекта. Найдено, что наилучшее соответствие расчетов и экспериментальных данных имеет место, если предположить наличие узкой полосы чувствительности PbSnTe в интервале длин волн 300—400 мкм.

Содержание