№ 3 | Основан в 1994 г. | Москва 2004 |
Моделирование вольт-амперных характеристик фотодиодов из КРТ
К. О. Болтарь, Н. И. Яковлева
ФГУП «НПО “Орион”», Москва, Россия
Проанализированы различные механизмы протекания тока в р—n-переходах фотодиодов на основе твердых растворов кадмий—ртуть—теллур (КРТ), построена математическая модель, позволяющая по ряду параметров материала КРТ определять вольт-амперную характеристику (ВАХ) р—n-перехода, и решена обратная задача: по ВАХ с помощью моделирования на ЭВМ определяются основные параметры фотодиодов и характеристики КРТ в области р—n-перехода. Измерены экспериментально и проведено моделирование ВАХ фотодиодов в эпитаксиальных слоях КРТ, полученных методами жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ), молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), испарения и конденсации (ИКД) и фотодиодов в объемном материале КРТ.