Отрицательная инфракрасная фотопроводимость в пленках CdS1-xSex
А. Ш. Абдинов, М. А. Джафаров, Г. М. Мамедов, Э. Ф. Насиров
Бакинский государственный университет, г. Баку, Республика Азербайджан
Впервые в пленках CdS1-xSex обнаружена отрицательная инфракрасная фото-проводимость (ОФП) в области длины волны 0,700—1,23 мкм при значениях интенсивности возбуждающего света Ф = 100—400 лк, электрического поля Е = 0,5—130 В/см и температуры Т = 265—310 К. Установлено, что основные закономерности ОФП объясняются на основе двухбарьерной модели. Показано, что в рассмотренных условиях носители заряда преодолевают барьер туннелированием. Пленки CdS1-xSex могут быть использованы в ИК-технике и негатронике.
Содержание