ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ


№ 3 Основан в 1994 г. Москва 2004


Использование представлений спиральной электромагнитной модели электрона для объяснения свойств электрона проводимости*
Часть II. Влияние трансляционной анизотропии кристаллической решетки на свойства электрона проводимости. Энергетическая шкала для атомных электронов в кристаллической решетке

Т. А. Гришина, В. И. Креопалов
ФГУП «НПО "Орион"», Москва, Россия

В. Ю. Гришина
ИЯИ РАН, Москва, Россия

Д. В. Креопалов
МГТУ им. Баумана, Москва, Россия ГНЦ «НПО "Орион"», Москва

   Продолжен начатый в работе [1] анализ на основе представлений спираль-ной электромагнитной модели электрона (СЭМЭ) процесса взаимодействия электронов проводимости (ЭП) с полем кристаллической решетки (КР), со-стоящей из колеблющихся атомов. Дан анализ влияния трансляционной ани-зотропии (КР) на характер поведения ЭП.

Содержание