ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ


№ 4 Основан в 1994 г. Москва 2004


Многоэлементный pin-фотодиод на основе гетероструктур In-GaAsP/InP, чувствительный в спектральном диапазоне 1,0—1,7 мкм

Ю. М. Деготь, О. Н. Забенькин, А. В. Кулыманов, Т. Н. Мищенкова, О. В. Огнева, И. В. Чинарева
ФГУП «НПО "Орион"», Москва, Россия

   Представлены результаты разработки многоэлементного фотоприемника (ФП), состоящего из линейки планарных pin-фотодиодов (ФД) на основе гетероструктур InGaAsP/InP, чувствительных в спектральном диапазоне 1,0—1,7 мкм, для совре-менных приборов ночного видения (ПНВ).

Содержание