Функциональные возможности пленок Cd1-xZnxSe, осажденных
из водного раствора, в ИК-области спектра
А. Ш. Абдинов, М. А. Джафаров, Э. Ф. Насиров, Г. М. Мамедов
Бакинский государственный университет, г. Баку, Республика Азербайджан
Рассмотрены особенности примесной и индуцированной примесной фотопроводимости в ИК-области, аномальной фотопроводимости и фотохимической реакции в пленка х Cd1-xZnxSe в зависимости от технологических режимов их осаждения и термической обработки (ТО). В пленках Cd1-xZnxSe образование ассоциатов Cdi—Cdi , Zni—Zni , VSe—Zni и др. обеспечивает появление системы оптически активных электронных состояний, разнесенных в интервале энергий 0,3—0,6 эВ, и позволяет использовать пленки Cd1-xZnxSe для создания на их основе неохлаждаемых фотоприемников ИК-диапазона. При освещении светом длиной волны l = 0,95 мкм наблюдались аномальная фотопроводимость и эффект фотопамяти, связанные с существованием в них дефектов с метастабильными состояниями, концентрацию которых можно менять в зависимости от состава, режима осаждения и ТО и лимитировать туннельными переходами неосновных локализованных электронов и дырок между r- и s-центрами. После ТО на воздухе в течение 10—15 мин наблюдалась очувствляющая фотохимическая реакция с энергией активации 0,17—0,21 эВ, представляющая собой процесс распада донорно-акцепторных пар, состоящих из r-центров и доноров Cdi , Zni , при освещении с излучением длиной волны l = 1,25 мкм, и обусловленная условиями осаждения и ТО.
Содержание