Анализ процесса разрядки диэлектрика, облученного электронным пучком, с учетом термоэлектретного эффекта
Е. А. Грачев, Н. Н. Негуляев
Физический факультет Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова,
Москва, Россия
С. И. Зайцев
Институт проблем технологий микроэлектроники (ИПТМ) РАН, Черноголовка,
Московская обл., Россия
Рассмотрено влияние термоэлектретного эффекта (эффекта остаточной поляризации молекул диэлектрика, вызванного нагревом вещества выше температуры стеклования) на процесс релаксации заряда, инжектированного в диэлектрик электронным облучением. Показано, что этот эффект теоретически может существенно влиять на процесс разрядки образца. Предложена методика, которая позволила бы экспериментально определить важность термоэлектретного эффекта в процессах облучения диэлектрических материалов, применяемых в электронной микроскопии и электронно-лучевой литографии.
Содержание