ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ


№ 5 Основан в 1994 г. Москва 2004


Сенсибилизация ИК-фоточувствительности в слоистых кристаллах типа соединений селенида индия электрическим полем

А. Ш. Абдинов, Н. А. Рагимова, Г. Х. Эйвазова
Бакинский государственный университет, г. Баку, Республика Азербайджан

Р. Ф. Бабаева, Р. М. Рзаев
Азербайджанский государственный экономический университет, г. Баку, Республика Азербайджан

   Ранние исследования показывают, что слоистые кристаллы селенида индия (InSe) являются высокочувствительными фотопроводниками в широком диапазоне температуры и длины волны света (0,35 ≤l ≤ 1,25 мкм). Исследованы возможности расширения спектрального диапазона (сенсибилизация) ИК-фоточувствительности этих кристаллов в сторону более длинных волн. Установлено, что в высокоомных образцах InSe с хорошо инжектирующими контактами в суперлинейной области ВАХ (где имеет место заметная инжекция) при относительно низких температурах (Т ≤ 150 К) появляется значительная фоточувствительность и в примесной области (вплоть до 3,50 мкм с максимумом при l = 2,64 мкм) происходит сенсибилизация ИК-фоточувствительности изучаемых монокристаллов InSe электрическим полем. Изучены зависимости этого явления от величины приложенного к образцу внешнего электрического напряжения, используемых контактных материалов, температуры, длины волны и интенсивности примесного света. Показано, что сенсибилизация ИК-фоточувствительности монокристаллов InSe электрическим полем и специфические особенности этого явления обусловлены наличием уровней прилипания различного типа и крупномасштабных пространственных неоднородностей. Даны оценки значениям основных параметров уровней прилипания, а также неоднородностей.

Содержание