Температура BLIP-режима d-легированного ИК-фотодиода нового типа
А. Ю. Селяков
ФГУП «НПО “Орион”», Москва, Россия
Рассчитаны пороговые характеристики d-легированного ИК-фотодиода нового типа. Показано, что температура BLIP-режима ТBLIP такого ИК-фотодиода существенно больше, чем у обычного фотодиода на основе p-n-перехода из того же полупроводника. Так, температура BLIP-режима d-легированного ИК-фотодиода нового типа на основе InSb равна 160 K, а при T = 200 K его обнаружительная способность равна D* = 3·10 Вт-1 см·Гц1/2, при этом температура BLIP-режима ИК-фото-диода нового типа на основе InAs равна 195 K, а BLIP-режима фотодиода нового типа на основе InAs0,88Sb0,12 — 175 K.
Содержание