О распределении потенциала в тонком слое варизонного полупроводника
Т. Е. Ковалевская, В. Н. Овсюк
Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск, Россия
Предложен метод оценки распределения потенциала в тонких варизонных слоях фоточувствительного полупроводника. В приближении линейной варизонности рассмотрено формирование областей пространственного заряда в слоях теллурида кадмия-ртути (КРТ) для нескольких частных случаев. Обсуждены условия формирования "поверхностной" рекомбинации на границах однородной и варизонной областей.
Содержание