Токоперенос в светодиодах на основе гетероструктуры InGaN/GaN
Н. С. Грушко, А. В. Лакалин, А. П. Солонин
Ульяновский государственный университет, г. Ульяновск, Россия
Исследованы светодиоды InGaN/AlGaN/GaN на стандартной подложке SiC [KPT-1608 PBC (SMD)] с двумя квантовыми ямами и активным слоем InxGa1-xN (х = 0,2). Установлен механизм токопереноса по прямым вольт-амперным характеристикам — туннелирование с участием прыжковой проводимости. Определены параметры указанных механизмов и их зависимость от напряжения и температуры. Дано объяснение наблюдаемым особенностям, в частности, скачок длины прыжка при T = 320—324 К.
Содержание