Стимулированное и спонтанное излучение из пленок CdxHg1-xTe на GaAs- и Si-подложках при оптической накачке
А. А. Андронов, Ю. Н. Ноздрин, А. В. Окомельков
Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород, Россия
А. А. Бабенко, В. С. Варавин, Д. Г. Икусов, Р. Н. Смирнов
Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск, Россия
Сообщено о наблюдении спонтанного и стимулированного излучения в диапазоне длин волн 1,4—4,5 мкм из гетероструктур CdxHg1-xTe, выращенных на GaAs- и Si-подложках с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии. Суперлюминесценция наблюдалась при температурах 77—300 K при оптической накачке импульсным Nd:YAG-лазером. Обсуждены де-тали образцов, экспериментальной установки, спектры излучения и возможные приложения.
Содержание