Радиационно-стойкие фотоприемники на область спектра 0,35—1,1 мкм
Д. Ш. Абдинов, К. А. Аскеров, В. И. Гаджиева
Институт физики НАН Азербайджана, г. Баку, Азербайджан
М. Г. Бекташи
Завод "Искра", г. Баку, Азербайджан
Проведены разработка и исследование радиационной стойкости фотодиодов на основе слоистых соединений GaSe, InSe, GaTe, предназначенных для видимой и ближней ИК-областей спектра и процесса диффузии различных примесей в слоистых полупроводниках. Показано, что в новой технологии изготовления фотодиодных структур исходные материалы GaSe, InSe, GaTe подвергались воздействию ионизирующего облучения при малых флюенсах, а потом на них производились процессы диффузии компенсирующих элементов с предварительным отжигом. Указанные изменения в технологии получения фоточувствительных элементов позволили получить фотодиодные структуры более пяти элементов. Определена радиационная стойкость исследуемых фотодиодов и выявлена возможность использования их в условиях повышенной радиации.
Содержание