Влияние ионизирующих излучений на фотодиоды с термоэлектрическим охладителем на основе селенида индия
К. А. Аскеров, В. И. Гаджиева, Д. Ш. Абдинов
Институт физики НАН Азербайджана, г. Баку, Азербайджан
Исследовалось влияние имитирующих факторов ядерного взрыва и протонного облуче-ния на фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе селенида индия. Установлено, что импульсное гамма-излучение и импульсное нейтронное облучение приводят к улучшению фотоэлектрических характеристик исследуемых фотодиодов. Показано, что большие флюенсы нейтронного облучения облегчают процесс образования комплексов в межслойном промежутке слоистого селенида индия, вследствие чего несколько ухудшаются фотоэлектрические параметры фотодиодов.
Содержание