Параметры центров рекомбинации структур InGaN/AlGaN/GaN с люминофорным покрытием
Н. С. Грушко, А. С. Хайрулина
Ульяновский государственный университет, г. Ульяновск, Россия
В белых светодиодах (фирма Foryard Optoelectronics) на основе p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с тонким активным слоем InGaN и верхним люминофорным покрытием (алюмоиттриевый гранат, активированный церием), полученных на подложке из Al2O3,, определены параметры центров рекомбинации по приведенной скорости рекомбинации Rred : энергии активации и коэффициенты захвата. Установлен диапазон изменения концентрации глубоких уровней Ndeep и вероятности туннелирования в интервале изменения напряжения 1—2 В.
Содержание