ИК-изображения флип-чип-диодов на основе InAsSbP в спектральной области 3 мкм
А. Л. Закгейм, Н. В. Зотова, Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев,
М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, А. Е.Черняков
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Проведен анализ инфракрасных "собственных" и в отраженных лучах (l = 2,9 мкм) изображений флип-чип-светодиодов на основе p-InAsSbP/n—InAsSbP/n+—InAs, включая изображения, получаемые при прямом и обратном смещениях p-n-перехода. Дана оценка коэффициентов отражения от омических контактов и сделаны предположения о соотношении величин контактного и объемного сопротивлений.
Содержание