Исследование фотодиодов с p-n-переходом на основе GaP при температурах до +500 oС
В. С. Рудневский, В. И. Стафеев
ФГУП «НПО “Орион”» — Государственный научный центр РФ, Москва, Россия
Исследованы фотодиоды с p-n-переходом на основе GaP. Приведены температурные зависимости токовой чувствительности в
диапазоне от –183 до +500 oС. При изменении температуры в указанном диапазоне максимум спектральной
чувствительности смеща-ется от 430 до 510 нм, а токовая чувствительность возрастает от 0,044 до 0,13 А/Вт. Изменение
чувствительности связано с температурной зависимостью коэффициента поглощения GaP. До температуры +200 oС в
фотодиодах преобладает генерационно-рекомбинационный ток, а свыше +220 oС — диффузионный ток.
PACS: 85.60.Dw
Ключевые слова: фотодиод, температура, чувствительность, коэффициент, поглощение
Л и т е р а т у р а
Содержание