ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Получение релятивистской интенсивности с использованием фемтосекундного излучения Ti:Sapphire лазерной системы с пиковой мощностью 0,2 ТВт

В. В. Большаков, А. А. Воробьев, Р. В. Волков, В. А. Князьков, А. Б. Савельев
Физический факультет и МЛЦ МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия

Н. В. Еремин, А. А. Пасхалов
НИИЯФ МГУ им. Д. В. Скобельцына, Москва, Россия

А. П. Шевелько, Е. Д. Казаков
Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва, Россия

М. Ю. Романовский
Институт общей физики им. Прохорова РАН, Москва, Россия

   Приведены результаты экспериментов по диагностике параметров лазерного излучения и получению 10¹⁸ Вт/см² при использовании 0,2 ТВт лазерной системы на основе кристалла Ti:Sapphire (Ti:Sa). Так, длительность лазерного импульса составила 50 фс, контраст на наносекундном масштабе времени 10⁶, на пикосекундном — не хуже чем 10⁵. Для определения величины интенсивности излучения проводилось измерение средней энергии горячих электронов, которая составила (139 +/- 12) кэВ.

PACS: 52.38.-r

Ключевые слова: лазерное излучение, импульс, кристалл, Ti:Sapphire, фемтосекунда

Л и т е р а т у р а

1. Крюков П. Г.//Квантовая электроника. 2001. Т. 31. № 2. С. 95.
2. Backus S., Durfee C. G., Murnane M. M., Kapteyn H. C.// Rev. of scien. Instr. 1998. V. 69. № 3. P. 1207.
3. Bahk S.-W., Rousseau P., Planchon T. A., Chvykov V., Kalintchenko G., Maksimchuk A., Mourou G. A., Yanovsky V.//Opt. Lett. 2008. V. 29. №. 24. P. 2837.
4. Yanovsky V., Chvykov V., Kalinchenko G., Rousseau P., Planchon T., Matsuoka T., Maksimchuk A., Nees J., Cheriaux G., Mourou G., Krushelnick K.//Ibid. V. 16. №. 3. P. 2109.
5. Hansen S. B., Faenov A. Ya., Pikuz T. A., Fournier K. B., Shepherd R., Chen H., Widmann K., Wilks S. C., Ping Y., Chung H. K.,
Niles A., Hunter J. R., Dyer G., Ditmire T.//Phys. Rev. E. 2005.
V. 72. № 036408.
6. Dobosz S., Doumy G., Stabile H., D’Oliveira P., Monot P., Re?au F., Huller S., Martin Ph.//Phys. Rev. Lett. 2005. V. 95.
№. 025001.
7. Li Y. T., Zhang J., Sheng Z. M., Zheng J., Chen Z. L., Ko-dama R., Matsuoka T., Tampo M., Tanaka K. A., Tsutsumi T., Yabuuchi T.//Phys. Rev. E. 2004. V. 69. № 036405.
8. Zhang J., Zhеng J., Sheng Z. M., Li Y. T., Qiu Y., Jin Z., Teng H.//Ibid. №. 046408.
9. Mourou G. A., Tajima T., Bulanov S. V.//Rev. Mod. Phys. 2006. V. 78. P. 309.
10. Albert O., Wang H., Liu D., Chang Z., Mourou G.//Opt. Lett. 2000. V. 125. P. 1125.
11. Hou B., Nees J. A., Theobald W., Mourou G. A., Chen L. M., Kieffer J.-C., Krol A., Chamberlain C. C.//Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. № 13. P. 2259.
12. Gordienko V. M., Lachko I. M., Mikheev P. M., Savel’ev A. B., Uryupina D. S., Volkov R. V.//Plasma Phys. Control. Fusion. 2002. V. 44. P. 2555.
13. Chen H., Soom B., Yaakobi B., Uchida S., Meyerhofer D. D.// Phys. Rev. Lett. 1993. V. 70. № 22. P. 3431.
14. Zepf M., Clark E. L., Beg F. N., Clarke R. J., Dangor A. E., Gopal A., Krushelnick K., Norreys P. A., Tatarakis M., Wagner U., Wei M. S.//Ibid. 2003. V. 90. P. 064801.
15. Агранат М. Б., Андреев Н. Е., Ашитков С. И., Овчин-ников А. В., Ситников Д. С., Фортов В. Е., Шевелько А. П.// Письма в ЖЭТФ. 2006. Т. 83. В. 2. С. 80.
16. Волков Р. В., Гордиенко В. М., Михеев П. М., Савельев А. Б.// Квантовая электроника. 2000. Т. 30. С. 896.
17. Gibbon P., Forster R.//Plasma Phys. Cont. Fus. 1996. V. 38. P. 769.

Содержание