ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ


№ 2 Основан в 1994 г. Москва 2009


УДК 621.382: 539.32

Механизмы токопереноса фотодиодов на основе ГЭС КРТ МЛЭ для спектрального диапазона 8—12 мкм

Ж. В. Гуменюк-Сычевская, В. В. Забудский, И. А. Лысюк, Ф. Ф. Сизов
Институт физики полупроводников НАН Украины, г. Киев, Украина

В. В. Васильев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Сидоров
Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск, Россия

Проведены исследования механизмов токопереноса фотодиодов типа n+-n--p и n+-p, полученных при ионном легировании бором гетероэпитаксиальных слоев (ГЭС) теллурида кадмия и ртути (КРТ) р-типа проводимости, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Результаты моделирования характеристик токопереноса при Т = 77 К показали, что темновой ток изготовленных фотодиодов типа n+-n--p лимитируется диффузионным током в переходе и током через уровень ловушек донорного типа в запрещенной зоне с энергией Et = 0,7 Eg.

PACS: 85.60.Gz

Ключевые слова: фотодиод, КРТ, МЛЭ, темновой ток, ловушки, энергия, донорный тип

Л и т е р а т у р а

1. Golenkov A. G., Sizov F. F., Tsybrii Z. F., Darchuk L. A.// Infr. Phys. Technol. 2005. V. 47. No. 3. P. 213.
2. Varavin V. S., Vasiliev V. V., Dvoretsky S. A., Mikhailov N. N., Ovsyuk V. N., Sidorov Yu. G., Suslyakov A. O., Yakushev M. V., Aseev A. L.//Opto-Electron. Rev. 2003. No. 11. P. 99.
3. Овсюк В. Н., Васильев В. В., Талипов Н. Х., Ромашко Л. Н., Козлов А. И., Клименко А. Г., Марчишин И. В. Фотоприемные устройства на основе слоев КРТ, выращенные методом моле-кулярно-лучевой эпитаксии. — Новосибирск: Наука, 2001.
4. Robinson H. G., Mao D. H., Williams B. L., Hollander-Gleixner S., Yu J. E., Helms C. R.//J. Electron. Mater. 1996. V. 25. P. 1336.
5. Williams B. L., Robinson H. G., Helms C. R.//Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. P. 692.
6. Yoshino J., Morimoto J., Wada H., Ajisawa A., Kawano M., Oda N.//Proc. SPIE. 1998. V. 3436. P. 120.
7. Anderson W. W., Hoffman H. J.//J. Appl. Phys. 1982. V. 53. P. 91305.
8. Gumenyuk-Sichevskaya J. V., Sizov F. F.//Semicond. Sci. Techn. 1999. V. 14. P. 1124.
9. Сизов Ф. Ф., Гуменюк-Сычевская Ж. В., Овсюк В. Н., Васильев В. В., Есаев Д. Г.//ФТП. 2001. Т. 35. № 7. С. 835.
10. Sizov F. F., Lysiuk I. O., Gumenjuk-Sichevska J. V., Bunchuk S. G., Zabudsky V. V.//Semicond. Sci. Technol. 2006. V. 21. P. 358.
11. Anderson W. W.//Infrared Phys. 1977. V. 17. P. 147.
12. Casselman T. N.//J. Appl. Phys. 1981. V. 52. P. 848.
13. Rogalski A. Infrared detectors. The Netherlands. Gordon and Breach, 2000.
14. Rosenfeld D., Bahir G.//IEEE Trans. on Electr. Devic. 1992. V. 39. P. 1638.
15. Войцеховский А. В., Коханенко А. П., Федорова Н. В., Филатов М. В., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Сидоров Ю. Г., Михайлов Н. Н.//Прикладная физика. 2005. № 2. С. 26.

Загрузить статью (PDF-формат)

Содержание