ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предельные параметры многоэлементных гибридных МДП ИК ФПУ на InAs и приборов на их основе

Г. Л. Курышев, И. И. Ли, В. М. Базовкин, Н. А. Валишева, А. А. Гузев, В. М. Ефимов, А. П. Ковчавцев, В. Г. Половинкин, А. С. Строганов
Институт физики полупроводников СО РАН им. А. В. Ржанова, г. Новосибирск, Россия

Приведены результаты экспериментального обследования различных линейчатых и матричных гибридных модулей и инфракрасных (ИК) систем (матричного термографа с температурным разрешением 4—8 мК, ИК-микроскопа с пространственным разрешением 3—4 мкм, быстродействующего спектрографа ~ 10⁴ спектр/с) на основе InAs ПЗИ-приемников излучения. Достигнутые параметры для тепловизионных систем данного диапазона являются близкими к предельно достижимым.

PACS: 85.60.Gz

Ключевые слова: инфракрасный, линейчатый, гибридный, модуль, томограф, микроскоп, ПЗИ-приемник

Л и т е р а т у р а

1. Woolaway J. New sensor technology for the 3-to 5 mm imaging band//Photonics spectra, February. 1991. Р. 113.
2. Рогальский А. Инфракрасные детекторы. — Новоси-бирск: Наука, 2003.
3. Таубкин И. И., Тришенков М. А. Предельные чувстви-тельность и информативность тепловизоров и других оптико-электронных преобразователей изображения//Оптический журнал. 1996. № 6. С.18—41.
4. Ли И. И. Анализ зависимости температурного разреше-ния тепловизионных систем от зарядовой емкости устройства считывания//Автометрия. 2001. № 2. С. 32.
5. Овсюк В. Н., Курышев Г. Л., Сидоров Ю. Г. и др. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона. Гл. 1 "Фотоприемники зарядовой инжекции на арсениде ин-дия". — Новосибирск: Наука, 2001.
6. Ли И. И., Базовкин В. М., Ефимов В. М., Валишева Н. А., Гузев А. А., Ковчавцев А. П., Курышев Г. Л., Половинкин В. Г., Царенко А. В. Многоэлементные гибридные ИК-фотоприемные устройства на основе приборов с зарядовой связью. Часть 1. Принципы считывания сигналов //Автометрия. 2007. № 4. С. 25.
7. Ли И. И., Базовкин В. М., Ефимов В. М., Валишева Н. А., Гузев А. А., Ковчавцев А. П., Курышев Г. Л., Половинкин В. Г., Царенко А. В. Многоэлементные гибридные ИК-фотоприемные устройства на основе приборов с зарядовой связью. Часть 2. Тепловизионные системы с элементами на InAs//Там же. С. 36.
8. Ллойд Дж. Системы тепловидения. — М.: Мир, 1978. С. 414.
9. Черных В. В., Егорова Е. В., Беленький В. Я., Дружинин И. Б. Возможности термографии в хирургии катаракты. Современные технологии катарактальной и рефракционной хирургии – 2006//Сб. науч. статей по матер. VII междунар. науч.-практ. конф. Москва, 26—28 октября, 2006.
10. Воронцов С. С., Забайкин В. А., Пикалов В. В., Третьяков П. К., Чугунова Н. В. Исследование структуры факела водорода в сверхзвуковой высокоэнтальпийной струе воздуха//ФГВ. 1999. Т. 35. № 5. С. 3.
11. Cherkassky V. S. et al. Imaging techniques for a high-power THz free electron laser//Nuclear Instr. And Methods in Physics Research A. 543. 2005. Р.102.
12. Vainer B. G., Kamaev G. N., Kuryshev G. L. Application of the narrow spectral range InAs-FPA-based IR camera for the investigation of the interface voids in silicon wafer bonding// J. Cryst. Growth, 2000. V. 210. No 1—3. P. 351.
13. Базовкин В. М., Гузев А. А., Ковчавцев А. П., Курышев Г. Л., Ларшин А. С., Половинкин В. Г. Тепловизионный микроскоп// Прикладная физика. 2005. № 2. C. 97.
14. Физические величины: Справочник/Под ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова. — М.: Энергоатомиздат, 1991.
15. Микроскопы/Под ред. Н. И. Полякова. — Л.: Машино-строение, 1969.
16. Kuryshev G. L., Polovinkin V. G. Diferential method of instrument resolution enhancement//Proceedins of the second IASTED International Multiconference Automation, Control, and Applications (ACIT-ATA). June 20—24. — Novosibirsk. Russia. P. 75. 17. Ли И. И., Курышев Г. Л. Устройство считывания с МДП-фотоприемников: Пат. 2282270. Приоритет от 11.04.2005 г.
18. Ли И. И., Базовкин В. М., Валишева Н. А., Гузев А. А., Ефимов В. М., Ковчавцев А. П., Курышев Г. Л., Половинкин В. Г. Фотоприемное устройство на основе матрицы МДП ИК-фотодиодов на InAs для регистрации импульсных оптических сигналов//Прикладная физика. 2007. № 2. С. 68.
19. Корнюшкин Н. А., Валишева Н. А., Ковчавцев А. П., Курышев Г. Л. Влияние свойств границы раздела и глубоких уровней в запрещенной зоне на вольт-фарадные характеристики МДП-структур на арсениде индия//ФТП. 1996. № 30(5). С. 914.
20. Базовкин В. М., Валишева Н. А. и др. Гибридное фото-приемное устройство на основе линейки 1x384 InAs МДП-структур для спектрометрических применений//Прикладная физика. 2003. № 6. С. 85.
21. Азам Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. — М.: Мир, 1981.
22. Базовкин В. М., Половинкин В. Г. и др. Фотоэлектриче-ские свойства спектрометрического модуля 1x384 InAs в составе быстродействующего ИК-спектрометра: Матер. 9-й конф. "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III—V". — Томск, 3—5 октября 2006. С. 416.

Содержание