ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Фоточувствительные свойства структур ZnTe/CdTe/HgCdTe

А. А. Гузев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев, И. И. Ли, З. В. Панова, Ю. Г. Сидоров, М. В. Якушев
Институт физики полупроводников СО РАН им. А. В. Ржанова, г. Новосибирск, Россия

Представлены результаты исследования многослойной системы на основе эпитаксиальной пленки HgCdTe с тонкими слоями CdTe, ZnTe. Структуры характеризуются отсутствием гистерезиса, низкой плотностью встроенного заряда и плотностью поверхностных состояний N_ss< 3·10¹⁰ см^-2·эВ^-1. Такая система близка по ряду характеристик к структурам металл—диэлектрик—полупроводник (МДП) и представляется перспективной для создания многоэлементных ИК ФПУ на основе КРТ.

PACS: 73.40.QV

Ключевые слова: многослойный, эпитаксиальный, HgCdTe, слой, структура, МДП, ИК, ФПУ

Л и т е р а т у р а

1. Овсюк В. Н., Курышев Г. Л., Сидоров Ю. Г. и др. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона. — Новосибирск: Наука, 2001. С. 10—118.
2. Sidorov Yu. G., Dvoretsky S. A., Varavin V. S. et al. Mo-lecular Beam Epitaxy of MCT Solid Solution on Alternative Substrate//Semiconductor structures, Interfaces and Surfaces. 2001. V. 35. No 9. Р. 1045—1053.
3. Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Кульчицкий Н. А. Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2—Si3N4// Тонкие пленки в электронике: Матер. 16-го междунар. симпо-зиума. — М.: Техномаш, 2004. С. 141—147.
4. Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М. Влия-ние сопротивления объема эпитаксиальной пленки на вольт-фарадные характеристики МДП-структур HgCdTe/АОП и HgCdTe/SiO2–Si3N4//Известия вузов. Сер. Физика. 2005.

Содержание