ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ


№ 2 Основан в 1994 г. Москва 2009


УДК 621.383

Перспективы использования фианита как материала микро- и фотоэлектроники для создания фотоприемников

А. Н. Бузынин, Е. Е. Ломонова
Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, Москва, Россия

Н. В. Кравченко, М. С. Сидоров, М. А. Тришенков, А. М. Филачев, П. Е. Хакуашев
ФГУП «НПО "Орион"» — Государственный научный центр РФ, Москва, Россия

Рассмотрены перспективы использования фианита в фотоэлектронике. Показано, что этот материал особенно актуален в технологии фотоприемников на основе Ge, InGaAs. Указаны основные направления использования фианита в качестве защитного и стабилизирующего слоев подложки для эпитаксиальных слоев InGaAs и как диэлектрик в структуре "полупроводник на диэлектрике", где полупроводником является InGaAs.

PACS: 85.30.-z

Ключевые слова: фианит, фотоэлектроника, InGaAs, слой, структура, полупроводник, защитный, стабилизирующий

Л и т е р а т у р а

1. Golecki I., Manasevit H. M., Moudy L. A., Yang J. J., Mee J. E. Heteroepitaxial Si films on yttria–stabilized, cubic zirconia substrates//Appl. Phys. Lett. 1983. V. 42. No. 6. Р. 501—503.
2. Buzynin A. N., Osiko V. V., Lomonova E. E., Buzynin Yu. N., Usikov A. S. Epitaxial films of GaAs and GaN on fianite sub-strate//Wide–Bandgap semiconductors for High Power, High Frequency and High Temperature. (Mat. Res. Soc. Simp. Proc. 1998). V. 512, Pittsburg, PA. Р. 205—210.
3. Бузынин A. H., Осико В. В., Воронько Ю. К., Лукьянов А. Е., Бузынин Ю. Н, Беляев A. В., Дроздов Ю. Н. Пленки GaN и GaNAs на подложках монолитного и пористого Si и GaAs с подслоем фианита//Изв. РАН. Сер. физич. 2005. Т. 69. № 4. С. 211—217.
4. Wang S. J., Ong C. K., Xu S. Y. et al. Electrical properties of crystalline YSZ films on silicon as alternative gate dielec-trics//Semicond. Sci. Technol. 2001. V. 16. Р. L13—L16.
5. Wang S. J., Ong C. K. Rapid thermal annealing effect on the electrical properties of crystalline YSZ gate dielectrics//Ibid. 2003. V. 18. Р. 154—157.
6. Ngai, Qi W. J. , Sharma R. , Fretwell J., Chen X., Lee J. C., Banerjee S. Electrical properties of ZrO2 gate dielectric on SiGe, Applied Physics Letters. 2000. No. 76. Р. 502—504.
7. Abermann S., Pozzovivo G., Kuzmik J. et al. MOCVD of HfO2 and ZrO2 high-k gate dielectrics for InAlN/AlN/GaN MOS-HEMTs//Semicond. Sci. Technol. 2007. V. 22. Р. 1272—1275.
8. Sundaram K. B., Wahid P. F., Sisk P. J.//Thin Solid Films 1992. V. 22. Р. 13—18.
9. Hata T., Sasakia K., Ichikawa Y., Sasakia K. Yttria-stabilized zirconia (YSZ) heteroepitaxially grown on Si substrates by reactive sputtering//Vacuum, 2000. V. 59, issues 2—3. Р. 381—389.
10. Vargas J. M., Brown P., Khan T. et. al. Superconducting half-wave microwave resonator on YSZ buffered Si(100)//Applied Superconductivity. 2001. V. 11. No. 1. Р. 392—394.
11. Wallace R. M., Wilk G.//Mater. Res. Bull. 2002. V. 27. Р. 192.
12. Robertson J., Vac J.//Sci. Technol. B. 2008. V. 18. Р. 1785.
13. Intel News Release, Intel's Transistors Get a "High-k and Metal Gate" Make-Over at 45nm, 2007.
14. Shahidi G. G. SOI technology for the GHz era. IBM. // J. of Research and Development. 2002. V. 46. No. 2/3.
15. Березин А. С., Мочалкина О. Р. Технология и конст-руирование интеральных микросхем: Учеб. пособие для вузов/Под ред. И. П. Степаненко. — М. Радио и связь, 1993. — 232 с.
16. Курносов А. И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных схем: Учебное пособие для студентов вузов. —М.: Высш. шк., 1998.
17. VLSI Elecrtonics Microstructure Science / Edited by N. G. Einshruch, D. M. Brown//Academic Press, Inc. 2004. V. 8.
18. Бузынин А. Н., Гришина Т. Н., Косухина Л. А., Ломо-нова Е. Е., Сидоров М. С., Тришенков М. А., Трошков А. Е., Чинарева И. В. Полупроводниковые фоточувствительные структуры с фианитом как пассивирующим защитным покрытием: Докл. на ХХ Междунар. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения. — М., 2008.
19. Гришина Т. Н., Кичина Н. Н., Косухина Л. А., Сидоров М. С., Тришенков М. А., Трошков А. Е., Хакуашев П. Е., Хромова Т. А., Чинарева И. В. Фотоэлектрические свойства германиевых фотодиодов со слоями диоксида циркония, нанесенными магнетронным методом: Там же. — М., 2008.

Загрузить статью (PDF-формат)

Содержание