ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Полупроводниковые фоточувствительные структуры с фианитом как пассивирующим защитным покрытием

А. Н. Бузынин, Е. Е. Ломонова
Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, Москва, Россия

Т. Н. Гришина, Л. А. Косухина, М. С. Сидоров, М. А. Тришенков, А. Е. Трошков, И. В. Чинарева, С. Н. Якунин
ФГУП «НПО "Орион"» — Государственный научный центр РФ, Москва, Россия

Приведены результаты первых исследований по созданию полупроводниковых фоточувствительных структур на фианите. Отработаны этапы технологии создания полупроводниковых фотоприемников с защитными пленками ZrO₂ (аналогами фианита). На основе измерений пробных образцов показана перспективность использования пленок ZrO₂ для полупроводниковых фотоприемников.

PACS: 85.30.-z

Ключевые слова: фианит, ZrO₂, фотоприемник, технология, защитная, пленка, полупроводниковый.

Л и т е р а т у р а

1. Golecki I., Manasevit H. M., Moudy L. A., Yang J. J., Mee J. E. Heteroepitaxial Si films on yttria–stabilized, cubic zirconia substrates//Appl. Phys. Lett. 1983. V. 42. No 6. Р. 501—503.
2. Buzinin A. N., Osiko V. V., Lomonova E. E., Buzinin Yu. N., Usikov A. S. Epitaxial films of GaAs and GaN on fianite sub-strate//Wide–Bandgap semiconductors for High Power, High Fre-quency and High Temperature. (Mat. Res. Soc. Simp. Proc. 1998). V. 512. Pittsburg, PA. Р. 205—210.
3. Бузынин A. H., Осико В. В., Воронько Ю. К. и др. Плен-ки GaN и GaNAs на подложках монолитного и пористого Si и GaAs с подслоем фианита.// Изв. РАН. Сер. физич. 2005. Т. 69. № 4. С. 211—217.
4. Wang S. J., Ong C. K., Xu S. Y. et al. Electrical properties of crystalline YSZ films on silicon as alternative gate dielec-trics//Semicond. Sci. Technol. 2001. V. 16. Р. L13—L16.
5. Wang S. J., Ong C. K. Rapid thermal annealing effect on the electrical properties of crystalline YSZ gate dielectrics// Semiconductor Science and Technology. 2003. V. 18. Р. 154157.
6. Бузынин А. Н., Кравченко Н. В., Ломонова, Е. Е. Сидо-ров М. С., Тришенков М. А., Филачев А. М., Хакуашев П. Е. Перспективы использования фианита как материала микро- и фотоэлектроники для создания фотоприемников: Докл. на ХХ Междунар. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения. — М., 2008.
7. Wang S. J. et al.//Semicond. Sci. Technol: Book, 2001. No 16. P. L13—L16.
8. Гришина Т. Н., Кичина Н. Н., Косухина Л. А., Сидоров М. С., Тришенков М. А., Трошков Е. А., Хакуашев П. Е., Хромова Т. А., Чинарева И. В. Фотоэлектрические свойства германиевых фотодиодов со слоями диоксида циркония, нанесенными магнетронным методом: Докл. на ХХ Междунар. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения. — М., 2008.

Содержание