ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Структура и оптические свойства эпитаксиальных пленок Pb_1-xMn_xSe

И. Р. Нуриев, Э. Ю. Салаев, М. Б. Гаджиев, Х. Д. Джалилова, Р. М. Садыгов, А. М. Назаров, Б. Ш. .Бархалов
Институт физики НАН Азербайджана, г. Баку, Азербайджан

Исследованы структура и оптические свойства эпитаксиальных пленок Pb_1-xMn_xSe (х=0,02—0,04), выращенных на подложках BaF2 (111) методом конденсации молекулярных пучков в вакууме 10^-4 Па. Определены оптимальные условия получения структурно-совершенных (W_1/2 = 90—100^N) эпитаксиальных пленок с различным химическим составом, легированных галлием (< 0,8 ат. %). Показано, что край спектральной зависимости коэффициента оптического поглощения исследуемых пленок варьируется посредством изменения х и смещается в сторону коротких длин волн, что объясняется возрастанием ширины запрещенной зоны твердых растворов Pb_1-xMn_xSe c увеличением содержания марганца.

PACS: 85.60.-q; 68.37.-d

Ключевые слова: структура, эпитаксиальный, пленка, конденсация, молекулярный пучок, вакуум, спектральная зависимость.

Л и т е р а т у р а

1. Засавицкий И. И., Ковальчик Л., Мацонашвили Б. Н., Сазонов А. В. Фотолюминесценция полумагнитных полупроводников типа АIVВVI//ФТП. 1988. Т. 22. В. 12. С. 2118—2123.
2. Нуриев И. Р., Фарзалиев С. С., Джалилова Х. Д., Са-дыгов Р. М. Особенности роста и фотопроводимость эпитаксиальных пленок твердых растворов Pb1-xMnxTe(Ga)//Прикладная физика. 2004. № 4. С. 89—92.
3. Nuriyev I. R., Farzaliyev S. S., Faradjev N. V., Sadigov R. M. Photoelectrical and optical properties of Pb1-xMnxTe(Ga) epitaxial films//Proceedings of SPIE. 2004. V. 5834. P. 246—249.
4. Нуриев И. Р., Фарзалиев С. С., Садыгов Р. М. Рост эпитаксиальных пленок Pb1-xMnxTe(Ga) на монокристаллах PbTe1-xSex//Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. — М., 2004. № 2. С. 110—112.
5. Нуриев И. Р., Садыгов Р. М., Машнин А. А. Фоточув-ствительные p-n-переходы в эпитаксиальных пленках Pb1-xMnxTe//Известия НАН Азербайджана. 2005. Т. ХХV. № 2. С. 106—109.
6. Нуриев И. Р., Садыгов Р. М., Фарзалиев С. С., Гаджи-ев М. Б. Эпитаксиальные пленки Pb1-xMnxTe(Sе) p-, n-типа проводимости, полученные в едином технологическом цик-ле// Физика. 2006. Т. XII. № 1—2. С. 52, 53.
7. Нуриев И. Р., Гаджиев М. Б., Садыгов Р. М. Структура и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок Pb1-xMnxSe//Прикладная физика. 2007. № 2. С. 132—134.
8. Нуриев И. Р., Гаджиев М. Б., Садыгов Р. М. Эпитаксиальные пленки Pb1-хMnхSe и фоточувствительные p-n-гомопереходы на их основе//Физика. 2007. Т. ХIII. № 4. С. 121—123.

Содержание