ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКАНАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ
УДК 621.383 Свойства фотодиодов Шоттки Au—n-GaP при высоких температурах В. С. Рудневский, В. И. Стафеев
Исследованы фотодиоды Шоттки Au—n-GaP (толщина Au ~10 нм) при высоких температурах. Показано, что при
температурах выше 70 °С последовательное сопротивление фотодиода растет необратимо. Отжиг фотодиодов
при Т = +125 °С способен увеличить квантовую эффективность фотодиода на 66 %, температура Т = +300 °С
является предельной для таких фотодиодов. Деградация фотодиодов Шоттки (ФДШ) связана с температурным изменением
структуры Au-пленки на поверхности полупроводника.
|