ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ


№ 3 Основан в 1994 г. Москва 2009


УДК 621.383

Свойства фотодиодов Шоттки Au—n-GaP при высоких температурах

В. С. Рудневский, В. И. Стафеев
ФГУП «НПО "Орион"» — Государственный научный центр РФ, Москва, Россия

   Исследованы фотодиоды Шоттки Au—n-GaP (толщина Au ~10 нм) при высоких температурах. Показано, что при температурах выше 70 °С последовательное сопротивление фотодиода растет необратимо. Отжиг фотодиодов при Т = +125 °С способен увеличить квантовую эффективность фотодиода на 66 %, температура Т = +300 °С является предельной для таких фотодиодов. Деградация фотодиодов Шоттки (ФДШ) связана с температурным изменением структуры Au-пленки на поверхности полупроводника.

PACS: 85.60.Dw; 85.-60.-q

Ключевые слова: фотодиоды Шоттки, сопротивление, отжиг, пленка, повержность, температура

Л и т е р а т у р а

Загрузить статью (PDF-формат)

Содержание