ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ

2016, № 2 Основан в 1994 г. Москва

УДК 621.383.4/5

Исследования спектральных зависимостей коэффициента
поглощения в слоях InGaAs

Н. И. Яковлева, А. В. Никонов

Проведены исследования и расчеты коэффициента поглощения для структур InGaAs, выращенных эпитаксией из металлоорганических соединений из газовой фазы (MOCVD), а также сравнение экспериментальных данных с теоретической моделью спектра поглощения, основанной на явлении собственного поглощения и общей теории прямых межзонных оптических переходов. Проведен графический расчет ширины запрещенной зоны по наклону экспериментальной характеристики поглощения.

PACS: 42.79.Pw, 85.60.Gz, 07.57.Kp, 85.60.Dw

Ключевые слова: InGaAs, MOCVD, диэлектрическая проницаемость, эпитаксия, коэффициент поглощения, зона Бриллюэна, расчет, экспериментальные данные.

Яковлева Наталья Ивановна, зам. начальника НИЦ1.
Никонов Антон Викторович, ведущий инженер НИЦ1,
зам. зав. кафедрой2.
1 АО «НПО «Орион».
Россия, 111538, Москва, ул. Косинская, 9.
Тел. 8 (499) 374-81-30. E-mail: orion@orion-ir.ru
2 Московский физико-технический институт
(государственный университет).
Россия, 141700, Московская обл., г. Долгопрудный,
Институтский пер., 9.

Статья поступила в редакцию 15 марта 2016 г. 		 
Загрузить статью (PDF-формат)

Содержание выпуска журнала