ОБЩАЯ ФИЗИКА
|
| Назаров А. В., Черныш В. С., Ермаков Ю. А., Шемухин А. А.
Угловые распределения атомов молибдена, распылённых с помощью пучка газовых кластерных ионов аргона
| | 5 |
| Якубович Б. И.
О спектрах случайных процессов
| | 9 |
| Мелкумян Б. В.
Мнимая фаза излучения и доплеровские частоты
| | 13 |
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
|
| Герман В. О., Глинов А. П., Головин А. П., Козлов П. В., Шалеев К. В.
Стабилизация электродуговых разрядов во внешнем азимутальном магнитном поле
| | 18 |
| Сироткин Н. А., Титов В. А.
Экспериментальное исследование нагрева жидкого катода и переноса его компонентов в газовую фазу под действием разряда постоянного тока
| | 25 |
| Андреев М. В., Кузнецов В. С., Скакун В. С., Соснин Э. А., Панарин В. А., Тарасенко В. Ф.
Температурные характеристики апокампа — нового типа плазменной струи в воздухе атмосферного давления
| | 32 |
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
|
| Болтарь К. О., Бурлаков И. Д., Власов П. В., Лопухин А. А., Чалый В. П., Кацавец Н. И.
Матричные фотоприемные устройства длинноволнового ИК-диапазона на основе кванторазмерной структуры AlGaAs/GaAs формата 384×288
CdTe/Al2O3
| | 37 |
| Войцеховский А. В., Коханенко А. П., Лозовой К. А.
Темновой ток и обнаружительная способность фотоприемников с квантовыми точками германия на кремнии
| | 42 |
| Дудин А. Л., Кацавец Н. И., Красовицкий Д. М., Кокин С. В., Чалый В. П., Шуков И. В.
InGaAs/AlGaAs гетероструктуры с квантовыми ямами для широкоформатных матриц, фоточувствительных в спектральном диапазоне 3-5 мкм
| | 49 |
| Васильев В. В., Вишняков А. В., Дворецкий С. А., Предеин А. В., Сабинина И. В., Сидоров Ю. Г., Стучинский В. А.
Фотоответ дефектных фотоэлементов в матричных КРТ-фотоприёмниках с anti-debiasing подслоем
| | 54 |
| Дворецкий С. А., Зверев А. В., Макаров Ю. С., Михантьев Е. А.
Оптимизация отношения сигнал/шум КРТ фотоприемных устройств на базе прямоинжекционной микросхемы считывания
| | 60 |
| Будтолаев А. К., Хакуашев П. Е., Чинарева И. В., Косухина Л. А.
Использование тонких пленок SiO2 для формирования охранного кольца в лавинных фотодиодах на основе InGaAs/InP
| | 68 |
| Абдинов А. Ш., Бабаева Р. Ф., Рагимова Н. А., Расулов Э. А.
Фотоприемники для ультрафиолетового и видимого диапазонов на основе кристаллов моноселенида галлия
| | 72 |
МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
|
| Буташин А. В., Муслимов А. Э., Васильев А. Л., Григорьев Ю. В., Каневский В. М.
Строение оксидных пленок, полученных отжигом пленок алюминия на (0001) сапфировых подложках
| | 77 |
| Шаронов Ю. П., Макарова Э. А., Седнев М. В., Ладугин М. А., Яроцкая И. В.
Исследование кривизны поверхности гетероэпитаксиальных структур InP/InGaAs, Al2O3/AlxGa1-xN
| | 83 |
| Кириенко Д. А., Березина О. Я.
Влияние лазерного облучения на чувствительность к газам и деформационную устойчивость пленок композита «диоксид олова-полианилин» на полимерной подложке
| | 87 |
| Нищев К. Н., Мамин Б. Ф., Неверов В. А., Сидоров Р. И., Скворцов Д. А.
Исследование структурных дефектов кристаллов 4H-SiC методом рентгеновской микротомографии
| | 93 |
| Мадатов Р. С., Алекперов А. С., Гасанов О. М., Сафаров Дж. М.
Влияние атомов Nd и гамма-облучения на фотолюминесценцию монокристалла GeS
| | 97 |
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
|
| Архипов В. П., Камруков А. С., Козлов Н. П., Макарчук А. А.
Дистанционное обеззараживание объектов направленным импульсным широкополосным УФ-излучением
| | 102 |
| Кремис И. И., Толмачев Д. А.
Коррекция остаточной неоднородности изображения в тепловизорах второго поколения на основе частотного разложения
| | 109 |
| Телегин А. М., Воронов К. Е., Авдеев В. А.
Исследование микрометеороидов и частиц космического мусора ионизационным детектором на малом космическом аппарате АИСТ-1Т
| | 116 |
ИНФОРМАЦИЯ
|
|
Сводный перечень статей, опубликованных в журнале «Прикладная физика» в 2016 г.
| | 120 |
|
Правила для авторов
| | 124 |
|
XLIV Международная Звенигородская конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу
| | 127 |
Содержание других выпусков журнала