ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДНЫЕ ЛАЗЕРЫ

И.С. Байков
Всероссийский научно-исследовательский институт межотраслевой информации, Москва, Россия

В.В. Безотосный
Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва, Россия

   Обзор содержит краткую информацию об основных научных и производственных центрах России, ведущих исследования и разработки в области полупроводниковых инжекционных лазеров. Представлены современные направления фундаментальных и прикладных работ, в частности в области создания инжекционных лазеров на основе наноструктур и квантовых ям, а также лазеров с напряженными гетерослоями. Рассмотрен ряд работ, направленных на получение генерации в новых спектральных диапазонах, повышение мощности в одномодовом режиме, создание линеек инжекционных лазеров для накачки твердотельных активных сред и получение ультракоротких импульсов света. Приведена справочная информация о номенклатуре выпускаемых промышленностью инжекционных лазеров (ИЛ), излучающих оптических модулей и мощных светоизлучающих диодов.

Содержание