ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ


№ 3-4 Основан в 1994 г. Москва 1995


ДЕГРАДАЦИЯ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ ПРИ ВЫСОКИХ УРОВНЯХ ИНЖЕКЦИИ

Ф. И. Маняхин
Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия

   Получены экспериментальные распределения эффективной концентрации заряженных центров вблизи металлургической границы гетероперерехода n-GaAIAs/p-GaAs после длительной наработки при пропускании прямого тока Обнаружены существенные изменения в распределении концентрации и показана взаимосвязь с изменениями характеристик и параметров излучателей.

Содержание