ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ КОЛЕБАНИЙ В ОБЛАСТИ ДВОЙНОГО СЛОЯ В ПЛАЗМЕ

В. А. Туриков, И. В. Ульяницкий

Российский университет дружбы народов, Москва, Россия

С помощью метода частиц в ячейке проведено численное моделирование электронных колебаний в двойном слое между проводящими электродами с заданными значениями потенциалов. Показано, что наличие в высокопотенциальной области слоя плазменно-пучковой системы, образованной ускоренными и отраженными частицами, приводит к неустойчивым колебаниям. В случае достаточно большого размера низкопотенциальной области в ней может происходить образование виртуального катода.