Исследовано влияние тонкого поверхностного слоя инверсной проводимости в эпитаксиальных слоях р-типа Hg_0,8Cd_0,2Te на зависимости коэффициента Холла от магнитного поля. Разработан метод расчета концентрации и подвижности носителей заряда в эпитаксиальном слое, учитывающий наличие слоя на поверхности.

Содержание журнала "Прикладная физика" N 6, 1999 г.