Представлены результаты исследований вольт-амперных характеристик (ВАХ) планарных ионно-легированных и диффузионных pin-диодов с охранным кольцом и без него на высокоомном р-кремнии. Показано, что имплантации периферии планарных n⁺-p-переходов ионами Ar⁺ или N₂⁺ с энергией 100 кэВ и дозами выше пороговой величины, индивидуальной для каждого способа легирования, деформирует и прямую, и обратную ветви ВАХ в сторону "идеальных": коэффициент неидеальности прямой ветви приближается к 1, а показатель степени "n" обратной ветви вида I - Uⁿ - к 0,5. Кардинальные улучшения наблюдаются в структурах обоих типов - с охранным кольцом и без него. При этом ВАХ ионно-легированных и "плохих" диффузионных структур становятся соответствующими ВАХ лучших диффузионных pin-фотодиодов, получаемых в условиях производства
ОАО «Московский завод "Сапфир"».

Содержание журнала "Прикладная физика" N 6, 1999 г.