Рассмотрены вопросы создания полевого транзистора с управляющим переходом (ПТУП) с пониженным уровнем шума, работающего при 77 К в режиме микротоков. Дано описание основных принципов построения технологического маршрута ПТУП. Приведены параметры экспериментальных образцов приборов. Значительное место при объяснении полученных результатов уделено физике работы приборов, работающих при криогенных температурах.

Содержание журнала "Прикладная физика" N 6, 1999 г.