Проанализированы особености работы кремниевых pin-фотодиодов в большом диапaзоне импульсных засветок для случая слабого поглощения излучения в материале. Выведено в безынерционном приближении уравнение импульсной энергетической (ампер-ваттной) характеристики фотодиодов в зависимости от его электрофизических параметров и режима работы. Дана приближенная оценка предела линейного режима работы фотодиода. Расчетные данные сравниваются с экспериментальными результатами на длине волны излучения l = 1,06 мкм.

Содержание журнала "Прикладная физика" N 6, 1999 г.