Представления электронно-оптической аппроксимации теории дифракционного взаимодействия электронов с периодическим полем кристаллической решетки, сформулированные в работах [1] и [2], применены для расчета и анализа расчетных профилей интенсивности полос равной толщины и кривых качания. Результаты анализа использованы для объяснения происхождения эффектов аномальной абсорбции, наблюдаемых при исследовании монокристаллических объектов методами просвечивающей электронной микроскопии.

Содержание