Конструирование и выращивание
фоточувствительных структур на основе КРТ МЛЭ для ИК-фотоприемников
Ю. Г. Сидоров, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов,
М. В. Якушев, В. С. Варавин, В. В. Васильев,
А. О. Сусляков, В. Н. Овсюк
Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия
Разработана и изготовлена установка молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) с аналитическими
средствами контроля процессов роста для выращивания соединений А2В6, в
том числе и ртутьсодержащих соединений. Разработана технология выращивания гетероэпитаксиальных
структур (ГЭС) твердых растворов кадмий—ртуть—теллур (КРТ) методом МЛЭ с заданным изменением
состава КРТ по толщине. Сконструированы и выращены ГЭС КРТ МЛЭ на подложках CdZnTe/GaAs с
варизонными слоями на границах раздела пленки КРТ. Структуры были использованы для изготовления
высококачественных как одиночных, так и многоэлементных фоторезисторов и фотодиодов, работающих
при температурах 77 и 200-250 К в диапазонах длин волн 3—5 и 8—12 мкм, до и более 20 мкм.
Широкозонные слои на границах пленки КРТ используются как пассивирующее покрытие. Узкозонный
слой в пленке КРТ на границе пленка—буфер используется для снижения последовательного
сопротивления в фотодиодах. Для снижения темновых токов матрицы фотодиодов, работающей при
температурах вблизи 200 К, были использованы ГЭС КРТ МЛЭ со специальным распределением состава
по толщине.
Содержание