Фотопроводимость кристаллов CdHgTe
с фотоактивными включениями
А. И. Власенко, З. К. Власенко
Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев
Методами растровой электронной микроскопии и электронно-зондовыми методами исследована топология
приповерхностных макродефектов в кристаллах СdxHg1-xTe (х ~ 0,2). В
области макродефектов наблюдалось образование включений, насыщенных ртутью или теллуром.
Проведен анализ генерационно-рекомбинационной активности широко- и узкозонных включений в
матрице CdHgTe. Исследованы температурные зависимости времени жизни и спектральных характеристик
фотопроводимости кристаллов СdxHg1-xTe (х ~ 0,2) c фотоактивными
включениями. Показано, что N-образный характер температурных зависимостей эффективного времени
жизни в неоднородных кристаллах определяется механизмом межзонной ударной рекомбинации с
изменяющимися при увеличении температуры эффективными геометрическими размерами
рекомбинационно-активных областей.
Содержание