Матричные ИК-фотоприемники на основе многослойных гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs

М. А. Демьяненко, И. В. Марчишин, А. Г. Клименко, А. И. Козлов, В. Н. Овсюк, А. П. Савченко, А. И. Торопов, В. В. Шашкин
Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск, Россия

Приведены экспериментальные результаты по разработке матричного фотоприемного модуля дальнего ИК-диапазона спектра размерностью 128x128. Модуль представляет собой гибридную сборку фотоприемной матрицы на основе многослойной структуры с квантовыми ямами (МСКЯ) GaAs/AlGaAs и кремниевого процессора. Температурное разрешение фотоприемного модуля NETD = 0,067 К при Т = 65 К.

Содержание