С. В. Слободчиков, Х. М. Салихов, Е. В. Руссу
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Полупроводниковые фоточувствительные диодные структуры с палладиевым контактом (диоды Шоттки, гетеропереходы) могут быть использованы как сенсоры водорода и водородосодержащих газов. Установлено, что интегральная фоточувствительность таких структур изменяется в атмосфере водорода. В Pd-n-InP-фотодиодных структурах изменение фотоЭДС в смеси воздух +0,3 pmH₂ достигает 1,5—2,0 порядка величины. В Pd-SiO₂ — InGaAs-n-InP-структурах изменение фотоЭДС в газовой смеси с 5 % Н₂ в спектральном интервале 1,30—1,55 мкм составляет более порядка величины. Гибридная структура Pd-p-InP-p-InGaAs показывает изменение фотоЭДС в 7—10 раз в газовой смеси с 0,05 % Н₂. Механизм действия водорода на фотоЭДС структур определяется изменением высоты барьера Шоттки, а также (иногда) изменением коэффициента пропускания фотоносителей.

Содержание