А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко
Сибирский физико-технический институт, г. Томск, Россия

Исследованы профили пространственного распределения дефектов при имплантации ионов в КРТ для различных условий внедрения: доза облучения, тип и энергия ионов, плотность тока ионов. Проведены расчеты профилей распределения электрически активных радиационных дефектов с учетом генерации комплексов дефектов вакансионной природы. Экспериментально определены профили распределения дефектов при внедрении ионов водорода и аргона при малых постоянных плотностях тока ионов, а также при внедрении ионов меди, вольфрама и алюминия при импульсном воздействии с высокой плотностью тока ионов. Методами вторичной ионной масс-спектрометрии, электрон-позитронной аннигиляции, резерфордовского обратного рассеяния ионов и дифференциальных Холловских измерений получены профили распределения внедренных ионов, вакансионных и протяженных дефектов, а также электрически активных дефектов, соответственно. Проанализированы особенности профилей рассматриваемых дефектов при различных условиях внедрения ионов.

Содержание