А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко
Сибирский физико-технический институт, г. Томск, Россия

Исследовалась возможность формирования сильнолегированных наноразмерных слоев бора в кремнии для варьирования высоты потенциального барьера на границе металл—полупроводник. Внедрение атомов бора в кремний проводилось методом ядер отдачи при воздействии пучками ионов алюминия с плотностью токов 4—10 А/см² и энергиями 30—150 кэВ. Анализ полученных структур методом вторичной ионной масс-спектрометрии (ВИМС) и измерения их электрических параметров свидетельствует о создании проводящего приповерхностного слоя толщиной порядка 10 нм и концентрацией носителей заряда более 10¹⁸ см^-3.

Содержание