А. В. Конюхов, Ю. М. Локтаев, В. Я. Павлик, Ю. А. Чесноков
ГУП "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина", Москва, Россия

  Определены условия включения p-n-p-n-структур с повышенным остаточным зарядом в n-базе при повторной подаче прямого напряжения. Рассчитан процесс нарастания тока при поэтапном включении каналов с произвольной задержкой. Обсуждены вопросы распределения критического заряда по площади структуры в целях обеспечения ее безопасного включения при неконтролируемых воздействиях.

Содержание