Ю. А. Евсеев
ГУП "Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина", Москва, Россия

  Предложена модель p-n-p-n-структуры, управляемой током широкой n-базы, состоящая из p-n-p-n-структуры, управляемой током узкой р-базы, и p-n-p-транзистора. На ее основе получены выражения тока симистора, соотношения, связывающие токи управления, токи переключения, области первоначального включения, времена задержки включения симистора в прямом и обратном направлениях.

Содержание