В работе исследовано влияние на параметры двухплощадочных фотодиодов на основе кремния n-типа проводимости, работающих в фотовольтаическом режиме при встречно-параллельном включении таких приемов, как создание закороченного на базу охранного кольца (ОК) - дополнительного p-n-перехода, расположенного на расстоянии меньше диффузионной длины носителей заряда, и облучение периферии p-n-перехода ионами азота, рассмотрено также влияние полевого электрода. Показано, что определяющее влияние на прямую ветвь ВАХ оказывает правильный подбор и соблюдение режимов вжигания алюминиевых контактов; улучшение прямой ВАХ (по прямым падениям, b, однородности и воспроизводимости результатов) обеспечивает применение топологии с закороченным ОК. Применение ПЭ при подаче отрицательного смещения на него позволяет уменьшить в 35 раз темновые токи при Uобр = 100 В.

Содержание