О фоточувствительности полевых транзисторов
с р-n переходом на основе Pb-Sn-Te

Ю.А. Абрамян, В.И. Сераго

Институт радиофизики и электроники АН Армении, Ереван, Армения

В.И. Стафеев

Государственное унитарное предприятие "НПО "Орион", Москва, Россия

   Проведен анализ фоточувствительности полевых транзисторов с изолированным затвором. Показано, что она возрастает пропорционально смещению на затворе в степени 1/2 и убывает пропорционально падающей на затворный р-n переход мощности излучения.

Содержание