Оптические свойства нового нелинейного кристалла AgGaGeS4
Ю.М. Андреев, Л.Г. Гейко, П.П. Гейко
Институт оптического мониторинга СО РАН, Томск, Россия
В.В. Бадиков
Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
С.Г. Гречин
НИИ Радиоэлектроники и лазерной техники МГТУ им.Н.Э.Баумана, Москва, Россия
Приведены результаты исследования оптических свойств нового смешанного нелинейного двухосного кристалла точечной группы симметрии mm2 AgGaGeS4, являющегося твердым раствором AgGaS2-GeS2 при отношении смешения x=0,5. Кристалл прозрачен в диапазоне 0,45-13,5 мкм. Порог разрушения для излучения TEA CO2 лазера в 1,6 раза выше по сравнению с кристаллами ZnGeP2. Установлены коэффициенты уравнения Селмейера для диапазона 0,45-11,5 мкм и значения коэффициентов тензора нелинейной восприимчивости.