ПРИКЛАДНАЯ  ФИЗИКА
№ 4  2002 г.

Общая физика

Гришина Т.А., Потапкин О.Д., Васичев Б.Н. Применение представлений волновой электронной оптики для описания процесса взаимодействия электронов с полем кристаллической решетки электронно-микроскопического объекта. 1. Функция пропускания кристаллической решетки для электронной волны 5
Гришина Т.А., Потапкин О.Д., Васичев Б.Н. Применение представлений волновой электронной оптики для описания процесса взаимодействия электронов с полем кристаллической решетки электронно-микроскопического объекта. 2. Влияние направления в пространстве кристаллической решетки на характер  функции пропускания14
Похмельных Л.А., Парфенова Ю.Л. Ядерные силы как проявление электростатического взаимодействия нуклонов  24

Физика плазмы и плазменные технологии

Литвинов В.Е. Применение теории плазмы для исследования физических процессов в электрографии и электростатической печати
Бауров Ю.А., Тимофеев И.Б., Черников В.А., Чалкин С.Ф. Экспериментальное исследование пространственной анизотропии излучения импульсного плазмотрона48
Рогулич В.С., Шимон Л.Л. Исследование основных параметров непрерывной плазменной струи60
Карташев И.Н., Красильников М.А., Кузелев М.В., Рухадзе А.А. Эффективность излучения плазменного СВЧ-генератора при учете дисперсии коэффициента отражения66

Электронные и ионные пучки

Розенфельд Л.Б.   Методика  расчета системы динамической фокусировки для технологического  электронно- и ионно-зондового оборудования76
Васичев Б.Н., Куликов Ю.В., Потапкин О.Д., Смольянинов В.Д., Фатьянова Г.И. Моделирование ионно-зондовых систем ионно-лучевых установок с жидкометаллическим и плазменным источниками ионов малых размеров80
Акимов П.И., Богословская А.Б. Использование ионов для усиления тока электронных пушек90
Акимов П.И., Сыровой В.А., Богословская А.Б. Синтез инжектора релятивистских электронных пучков на основе геометризованных уравнений102
Забавин А.Б., Куликов Ю.В., Прянишников И.Г. Некоторые проблемы проектирования  электронной оптики ЭОП с быстрой разверткой изображения111

Фотоэлектроника

Селяков А.Ю.   ИК матрицы с большим временем накопления фотосигнала на основе трапецеидальных d-легированных сверхрешеток с собственным поглощением излучения118
Талимов А.В., Филиновский В.Ю., Титов А.Г. Формирование термостойких анодных окисных пленок и их использование  для изготовления фотодиодов на InSb134
Мамедов Р.К. Особенности токопрохождения в реальных диодах Шоттки143
Жуков А.А. Свободная поверхностная энергия тонких полиимидных покрытий при их формировании на диоксиде кремния151
Жуков А.А., Здобников А.Е., Клемин С.Н., Тарасов В.В., Филатов Л.А., Четверов Ю.С. Особенности поглощения ИК-излучения в тонких полиимидных структурах и микроболометрический приемник на их основе157
Правила для авторов

Содержание журнала с 1997 г.